03-14-2022 02:18 AM
Hallo,
ich bräuchte Hilfe bei der Erstellung eines SPICE-Models von einem N-Kanal MOSFET, was ich dann in Multisim gerne simulieren würde.
Und zwar es geht um den IXTT1N450HV (https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-mosfets/n-channel-standard/very-hi...)
Ich habe den Transistor mit diesem Werte in LTSpice aus dem Datenblatt modelliert, aber es kam nicht wirklich was raus.
.model IXTT1N450HV VDMOS(Rg=12 Rd=0 Rs=0 Vto=3.5 Kp=0.70 Cgdmax=850p Cgdmin=15p Cgs=1671p Cjo=80p Is=1 Rb=0)
Vielleicht habe ich mich irgendwo vertan, könnte mir jemand helfen?
Ich bedanke mich schon im Voraus.
03-14-2022 07:42 AM - edited 03-14-2022 07:58 AM
.Здоровья! Ваш текст почему-то не переводится. Не могли бы текстовую SPICE модель выложить? Эта слишком короткая и неполная: IXTT1N450HV VDMOS(Rg=12 Rd=0 Rs=0 Vto=3.5 Kp=0.70 Cgdmax=850p Cgdmin=15p Cgs=1671p Cjo=80p Is=1 Rb=0) Как вариант, можно готовую, похожую по параметрам, модель взять из MS, и подправить параметры к приведённым вами. Вот пример, когда подправлено пробивное напряжение (до 1800 вольт). Можно и остальные параметры подправить.